Arnold-Sommerfeld-Preis an Gregor Koblmüller!

2016-01-26 – Nachrichten aus dem Physik-Department

Die Bayerische Akademie der Wissenschaften verleiht den Arnold Sommerfeld-Preis 2015 an Herrn Dr. Gregor Koblmüller (Physik-Department und WSI, TUM) für seine herausragenden wissenschaftlichen Beiträge zur Realisierung von komplexen Halbleiter-Hetero-Nanodrähten, die vielfältige Anwendungen in der Nanoelektronik, Nanophotonik und Nanosensorik ermöglichen.

Dr. Gregor Koblmüller erhält Arnold-Sommerfeld-Preis 2015
Dr. Gregor Koblmüller erhält den Arnold-Sommerfeld-Preis 2015 durch Akademiepräsident Prof. Dr. Karl-Heinz Hoffmann. Photo: Andreas Heddergott / BAdW

Die Preisverleihung fand im Rahmen der festlichen Jahresfeier der Bayerischen Akademie der Wissenschaften im Herkulessaal der Münchner Residenz statt. In Anwesenheit des Wissenschaftsministers Dr. Ludwig Spänle überreichte der Präsident der Akademie Prof. Dr. Karl-Heinz Hoffmann die Auszeichnung an Gregor Koblmüller.

Gregor Koblmüller ist ein ausgezeichneter Material- und Nanowissenschaftler und hat große Erfahrung im Bereich der Molekularstrahlepitaxie von Halbleiter-Heterostrukturen, der strukturellen Analyse von komplexen Nanostrukturen und der Entwicklung von neuartigen Nano- und Quantenbauelementen. Er veröffentlichte mehrere, international viel beachtete Arbeiten über neuartige Nitrid und Arsenid basierte Halbleiter-Nanodrähte. So gelang ihm zum Beispiel die Herstellung von Hetero-Nanostrukturen mit neuartigen physikalischen Effekten, die auf der reduzierten Dimensionalität der Ladungsträger beruhen und Grundlage für neuartige und effizientere Bauelemente in Nanoelektronik, Nanophotonik und Nanosensorik sind.

Hauptarbeitsgebiet in den vergangenen Jahren ist die Realisierung von qualitativ hochwertigen Arsenid basierten Hetero-Nanodrähten auf Silizium. Im Team mit seinen Kooperationspartnern konnte er auf diesem Gebiet mehrere Durchbrüche erzielen. So gelang auf Basis dieser Materialien kürzlich erstmals der Nachweis von GaAs basierten Nanodraht-Lasern auf Silizium. Dies ist ein wichtiger Schritt für die künftige monolithische Integration von opto-elektronischen und nano-photonischen Bauelementen auf Silizium.

Herausragend sind auch seine Arbeiten zur Optimierung von Nanodrähten mit Lichtemission vom nahen bis zum mittleren infraroten Spektralbereich sowie die Realisierung von ultradünnen Nanodrähten mit großen Quantisierungsenergien und eindimensional eingeschränkter Bewegung der Ladungsträger. Herr Koblmüller gehört in seinen Arbeitsgebieten zu den weltweit führenden Wissenschaftlern und genießt hohe internationale Anerkennung.

In Österreich geboren und aufgewachsen, studierte Gregor Koblmüller an der TU Wien Technische Physik. Zum Thema der Halbleiter Hetero- und Nanostrukturen fand er bereits während seiner Promotion an der TU Wien, die er in Zusammenarbeit mit Infineon Corporate Research in München durchführte und 2005 abschloss. Anschließend ging er für gut vier Jahre als Postdoc an die University of California nach Santa Barbara, wo er am renommierten Materials Department an neuartigen Nitrid-Halbleiter-Materialien mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) für die Opto- und Hochleistungselektronik forschte. Für seine herausragenden Arbeiten auf diesem Gebiet ist er 2010 mit dem Internationalen Young Investigator MBE Award ausgezeichnet worden.

Seit 2009 forscht er am Lehrstuhl für Halbleiter-Nanostrukturen und -Quantensysteme des Physik-Departments und des Walter-Schottky-Instituts und arbeitet dort mit Prof. Gerhard Abstreiter und Prof. Jonathan Finley zusammen. Er ist außerdem Mitglied im Exzellenzcluster Nanosystems Initiative Munich (NIM), über welchen er enge Kollaborationen mit verschiedensten Kooperationspartnern pflegt. Gregor Koblmüller ist bereits Autor oder Koautor von mehr als 100 Veröffentlichungen, die rege zitiert werden, und hält mehrere Patente. Sein Habilitationsverfahren an der TUM steht kurz vor dem Abschluss.

Redaktion
Dr. Johannes Wiedersich

Kontakt

Dr. Gregor Koblmüller
Technische Universität München
Am Coulombwall 4
85748 Garching
Tel.: +49 89 289-12779

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