Moderne Elektronische Bauelemente
Advanced Electronic Devices
Lehrveranstaltung 0000001086 im SS 2018
Basisdaten
LV-Art | Vorlesung mit integrierten Übungen |
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Umfang | 3 SWS |
betreuende Organisation | Professur für Molekularelektronik (Prof. Tornow) |
Dozent(inn)en |
Daniel Reiser Marc Tornow Mitwirkende: Regina Hutschenreiter |
Termine |
Do, 11:30–13:45, N1812 sowie 1 einzelner oder verschobener Termin |
weitere Informationen
Lehrveranstaltungen sind neben Prüfungen Bausteine von Modulen. Beachten Sie daher, dass Sie Informationen zu den Lehrinhalten und insbesondere zu Prüfungs- und Studienleistungen in der Regel nur auf Modulebene erhalten können (siehe Abschnitt "Zuordnung zu Modulen" oben).
ergänzende Hinweise | DIODEN: idealer p-n-Übergang, Metall-Halbleiter-Kontakt, Heteroübergang, nicht-ideale Effekte (Rekombination und Generation in der RLZ, hohe Injektion, endlich lange Bahngebiete), Negative Differential Resistance Devices (Tunneldiode, Resonante Tunneldiode, Gunn-Diode), TRANSISTOREN: klassischer MOSFET, Skalierung und Kurzkanal-Effekte, High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT), Advanced MOSFETs (SOI, multiple gate, strained Si, metal gate, high-k dielectrics), Low-dimensional transistors (nanowires, CNT, SET), Organische Feldeffekttransistoren (OFET, SAMFET) |
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Links |
E-Learning-Kurs (z. B. Moodle) TUMonline-Eintrag |