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Blockpraktikum mit dem Ziel der Herstellung und Charakterisierung von Laser-Dioden für die Telekommunikation. Ausgehend von allgemeinen Richtlinien über den Aufbau einer kantenemittierenden Laser-Diode soll das Design einer geeigneten Schichtstruktur im Vorfeld erarbeitet werden. Dieses Halbleitermaterial wird dann mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie hergestellt und dient als Ausgangsmaterial für die Fertigung der Laser-Dioden. Die dazu notwendigen Prozessschritte wie Fotolithografie, Strukturierung durch nasschemisches Ätzen, Aufdampfen von Kontakten und Isolationsschichten sowie das Dünnen und Spalten der Laser sollen von den Teilnehmern nach Anleitung weitestgehend selbständig im Reinraum des WSI durchgeführt werden. Die fertigen Bauelemente werden anschließend eingehend vermessen, um eine Reihe von entscheidenden Kenngrößen der Laser zu bestimmen. Es werden Strom-Spannungskennlinien aufgenommen, die Ausgangsleistung der Laser in Abhängigkeit ihrer Geometrie ermittelt, sowie deren spektrale Eigenschaften und der Einfluss der Temperatur untersucht. |
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