Advanced Electronic Devices

Modul EI7414

Dieses Modul wird durch Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik bereitgestellt.

Diese Modulbeschreibung enthält neben den eigentlichen Beschreibungen der Inhalte, Lernergebnisse, Lehr- und Lernmethoden und Prüfungsformen auch Verweise auf die aktuellen Lehrveranstaltungen und Termine für die Modulprüfung in den jeweiligen Abschnitten.

Modulversion vom SS 2016 (aktuell)

Von dieser Modulbeschreibung gibt es historische Versionen. Eine Modulbeschreibung ist immer so lange gültig, bis sie von einer neuen abgelöst wird.

verfügbare Modulversionen
SS 2016SS 2014

Basisdaten

EI7414 ist ein Semestermodul in Deutsch oder Englisch auf Master-Niveau das im Sommersemester angeboten wird.

Das Modul ist Bestandteil der folgenden Kataloge in den Studienangeboten der Physik.

  • Allgemeiner Katalog der nichtphysikalischen Wahlfächer
GesamtaufwandPräsenzveranstaltungenUmfang (ECTS)
150 h 45 h 5 CP

Inhalte, Lernergebnisse und Voraussetzungen

Inhalt

DIODEN: idealer p-n-Übergang, Metall-Halbleiter-Kontakt, Heteroübergang, nicht-ideale Effekte (Rekombination und Generation in der RLZ, hohe Injektion, endlich lange Bahngebiete), Negative Differential Resistance Devices (Tunneldiode, Resonante Tunneldiode, Gunn-Diode), TRANSISTOREN: klassischer MOSFET, Skalierung und Kurzkanal-Effekte, High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT), Advanced MOSFETs (SOI, multiple gate, strained Si, metal gate, high-k dielectrics), Low-dimensional transistors (nanowires, CNT, SET), Organische Feldeffekttransistoren (OFET, SAMFET)

Lernergebnisse

Nach Abschluss des Moduls verfügen die Studierenden über ein grundlegendes Verständnis wichtiger nicht-idealer Effekte in Dioden- und Feldeffekttransistoren; Sie haben weitergehende Kenntnisse zu Aufbau, Funktion und Anwendung spezieller, moderner elektronischer Bauelemente erworben; Sie verfügen über die Fähigkeit, neuartige und zukünftige Bauelemententwicklungen insbesondere in Bezug auf ihr Anwendungspotential zu beurteilen.

Voraussetzungen

Grundlagenwissen zu elektronischen Bauelementen

Lehrveranstaltungen, Lern- und Lehrmethoden und Literaturhinweise

Lehrveranstaltungen und Termine

ArtSWSTitelDozent(en)Termine
VU 3 Moderne Elektronische Bauelemente Pfaehler, S. Tornow, M. Donnerstag, 11:30–13:00

Lern- und Lehrmethoden

Zusätzlich zur klassischen Vorlesungspräsentation und zu individuellen Studienmethoden der Studierenden werden Übungen (Beispielaufgaben) und zusätzliche Tutorials angeboten, welche auf eine vertieftes Verständnis zielen. Die Studierenden kommen früh in Kontakt mit aktuellen Forschungsthemen.

Medienformen

Die folgenden Medien finden Anwendung: Vorträge, Handouts, Tafelanschrieb, Tablet-PC, Laborbesuche

Literatur

S. M. Sze, K.K. Ng, Physics of Semiconductor Devices , 3rd Ed. (2007), Wiley D.L. Pulfrey, ""Understanding Modern Transistors and Diodes"", (2010), Cambridge

Modulprüfung

Beschreibung der Prüfungs- und Studienleistungen

Klausur (60 min.); Die Klausur setzt sich zusammen aus Rechenaufgaben und Kurzfragen zum gesamten Vorlesungsstoff, in ihr werden das grundlegende Verständnis wichtiger nicht-idealer Effekte in Dioden- und Feldeffekttransistoren und weitergehende Kenntnisse zu Aufbau, Funktion und Anwendung spezieller, moderner elektronischer Bauelemente überprüft.

Wiederholbarkeit

Eine Wiederholungsmöglichkeit wird im Folgesemester angeboten.

Kondensierte Materie

Wenn Atome sich zusammen tun, wird es interessant: Grundlagenforschung an Festkörperelementen, Nanostrukturen und neuen Materialien mit überraschenden Eigenschaften treffen auf innovative Anwendungen.

Kern-, Teilchen-, Astrophysik

Ziel der Forschung ist das Verständnis unserer Welt auf subatomarem Niveau, von den Atomkernen im Zentrum der Atome bis hin zu den elementarsten Bausteinen unserer Welt.

Biophysik

Biologische Systeme, vom Protein bis hin zu lebenden Zellen und deren Verbänden, gehorchen physikalischen Prinzipien. Unser Forschungsbereich Biophysik ist deutschlandweit einer der größten Zusammenschlüsse in diesem Bereich.